用于半導體(tǐ)研發和制造工藝上，颛臾極淺表層的深度剖析。特點是以超低入射能量條件對進行樣品濺射，同時還(hái)保留了CAMECA的磁偏轉式質譜分析器的高檢測靈敏度。IMS Wf能分析整個300毫米直徑晶片并帶有一花樣識别系統。該儀器可配帶一個300mm FOUP或200mm的SMIF pods并可遙控現場操作(zuò)。由于自(zì)動化程度高，可進行快(kuài)速深層的深度剖析，其優化的分析速度和出色的測量穩定性使得這一SIMS工具的産率無與倫比。其實驗室版本-SC Ultra帶有手動裝樣系統，計算機對自(zì)動控制所有分析參數（分析方案、儀器調試等）。